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VGS(TH)(最大)@標識: | 1V @ 400µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-SOT223-4 |
系列: | SIPMOS® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
功率耗散(最大): | 1.8W (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-261-4, TO-261AA |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 430pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 14nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | Depletion Mode |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 660mA (Ta) |