在線詢價

IPP80N03S4L-03

IPP80N03S4L-03
價格:
US$ 1.37
數量:
圖片僅供參考。
有關產品詳情,請參閱產品規格
如果您有興趣購買IPP80N03S4L-03,請給我們發電子郵件。
Sales@zeanoit.com
我們的銷售團隊將在24小時內回复您

Request Quote

In Stock980 pcs
最低起訂:1
最小包裝:1
Manufacturer lead time 10 weeks
價格
1 $1.37
10 $1.226
100 $0.956
500 $0.789
1000 $0.623
型號
數量
公司
邮箱
要求

購買流程

VGS(TH)(最大)@標識:2.2V @ 90µA
Vgs(最大):±16V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO220-3-1
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.7 mOhm @ 80A, 10V
功率耗散(最大):136W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:9750pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:140nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 25°C連續排水(Id):80A (Tc)


如果您犯了錯誤的組成部分,那麼您將研究誰將對此問題承擔責任。
如果是我們的,我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。
如果是您的,客戶將對它負有責任。有關詳細信息,請與我們的客戶服務或銷售聯繫。