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價格 | |
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1 | $1.37 |
10 | $1.226 |
100 | $0.956 |
500 | $0.789 |
1000 | $0.623 |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 90µA |
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Vgs(最大): | ±16V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-TO220-3-1 |
系列: | OptiMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
功率耗散(最大): | 136W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-220-3 |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 9750pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 140nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 80A (Tc) |