IRF3546MTRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
IRF3546MTRPBF.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.1V @ 35µA
供應商設備封裝:	41-PQFN (6x8)
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	3.9 mOhm @ 27A, 10V
功率 - 最大:	-
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	41-PowerVFQFN
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1310pF @ 13V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	15nC @ 4.5V
FET型:	4 N-Channel
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	25V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	16A (Tc), 20A (Tc)