IRF7204TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±12V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	8-SO
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	60 mOhm @ 5.3A, 10V
功率耗散（最大）:	2.5W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	860pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	25nC @ 10V
FET型:	P-Channel
FET特點:	-
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	4.5V, 10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	5.3A (Ta)

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