VGS(TH)(最大)@標識: | 1V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | I-Pak |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 31 mOhm @ 21A, 10V |
功率耗散(最大): | 68W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 870pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 35A (Tc) |