DTA124EUBTL

LAPIS Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	300mV @ 500µA, 10mA
晶體管類型:	PNP - Pre-Biased
供應商設備封裝:	UMT3F
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	22k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	22k
功率 - 最大:	200mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SC-85
安裝類型:	Surface Mount
頻率 - 轉換:	250MHz
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	56 @ 5mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:	500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	30mA

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如果是我們的，我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。

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