QSH29TR

LAPIS Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
QSH29TR.pdf

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	70V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	300mV @ 1mA, 100mA
晶體管類型:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:	TSMT6 (SC-95)
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	-
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	10k
功率 - 最大:	1.25W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
安裝類型:	Surface Mount
頻率 - 轉換:	-
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	500 @ 200mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:	500nA (ICBO)
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	500mA