VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-SOP |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 10 mOhm @ 12A, 10V |
功率耗散(最大): | 2W (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1360pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 25nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 12A (Ta) |