APTM120DSK57T3G

Microsemi
MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
APTM120DSK57T3G.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	5V @ 2.5mA
供應商設備封裝:	SP3
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	684 mOhm @ 8.5A, 10V
功率 - 最大:	390W
封装:	Bulk
封裝/箱體:	SP3
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Chassis Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	5155pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	187nC @ 10V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特點:	Standard
漏極至源極電壓（Vdss）:	1200V (1.2kV)
電流 - 25°C連續排水（Id）:	17A

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