VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 10mA (Typ) |
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供應商設備封裝: | D3 |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 10 mOhm @ 200A, 20V |
功率 - 最大: | 1100W |
封装: | Bulk |
封裝/箱體: | D-3 Module |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Chassis Mount |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 9500pF @ 1000V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 490nC @ 20V |
FET型: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特點: | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1200V (1.2kV) |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 250A |