電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
---|---|
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
晶體管類型: | NPN - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | DFN1010D-3 |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | 10k |
電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 1k |
功率 - 最大: | 325mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 3-XDFN Exposed Pad |
安裝類型: | Surface Mount |
頻率 - 轉換: | 210MHz |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 70 @ 50mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 500mA |