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VGS(TH)(最大)@標識: | 3V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 3-SMD |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
功率耗散(最大): | 300mW (Ta) |
封装: | Bulk |
封裝/箱體: | 3-SMD, No Lead |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 60pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | - |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 200mA (Ta) |