SI3905DV-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
SI3905DV-T1-E3.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	450mV @ 250µA (Min)
供應商設備封裝:	6-TSOP
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	125 mOhm @ 2.5A, 4.5V
功率 - 最大:	1.15W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	6nC @ 4.5V
FET型:	2 P-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	8V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	-

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