SI4542DY-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
SI4542DY-T1-E3.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	1V @ 250µA (Min)
供應商設備封裝:	8-SO
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	25 mOhm @ 6.9A, 10V
功率 - 最大:	2W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	50nC @ 10V
FET型:	N and P-Channel
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	-

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