| VGS（TH）（最大）@標識: | 1V @ 800µA |
|---|---|
| 供應商設備封裝: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 1.3W |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | - |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| FET型: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特點: | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 20V |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 4.3A |
Si7900EDN-T1-GE3
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